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STマイクロエレクトロニクス

加速度センサおよびジャイロ・センサを統合した、低消費電力・小型の超高性能6軸センサ・モジュールを発表

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IoT、ウェアラブル機器、屋内ナビゲーション、携帯型機器に理想的な高い電力効率と低ノイズを実現

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーで、MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)のトップ・メーカーかつコンスーマおよび携帯型機器向けMEMSセンサの主要サプライヤ(1)であるSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、加速度センサとジャイロ・センサを組み合わせた常時動作可能な超高性能6軸センサ・モジュール LSM6DS3を発表しました。iNEMO(TM) Ultraの初の製品であるLSM6DS3は、デバイスおよびシステムの電力効率、信号ノイズ、モーション・センサの性能の基準を引き上げます。同製品と超低消費電力32bitマイクロコントーラ(マイコン)であるSTM32を組み合わせることで、モバイル機器やウェアラブル機器、さらにはIoT(Internet of Things)向けの革新的な製品に搭載できるバッテリ駆動のスマート・センサ・システムの開発に新たな可能性が生まれます。

3軸加速度センサおよび3軸ジャイロ・センサを組み合わせたこの6軸センサ・モジュール(iNEMO Ultra)は、小型(2.5 x 3.0 x 0.8mm)で、業界をリードするノイズ特性(2)を実現しながら、最先端技術を通じてシステム電力を効果的に管理します。代替製品の低消費電力モードと比べても約20%高い電力効率を可能にすると同時に、高い性能を維持しながら基板面積も節約できます。

LSM6DS3は、市場で最も容量の大きい「スマート」なFIFO(First-In First-Out)メモリ(8KB)を搭載しており、その容量は競合製品の2倍以上です。この柔軟なメモリは、システム・プロセッサの起動前により多くのデータ保存・処理が可能なため、システム全体の消費電力を低減することが可能となります。さらにSTは、堅牢で成熟したMEMSプロセスで業界をリードする加速度センサとジャイロ・センサのセンサ素子を製造する一方、センサ素子から出力された信号を処理し、出力する為のインターフェースIC(ASIC)をCMOSプロセス技術を使用して製造しています。そのため、センサ素子の特性に合わせて、専用回路を調整することができます。

STのエグゼクティブ・バイスプレジデント 兼 アナログ・MEMS・センサ・グループ ジェネラル・マネージャであるBenedetto Vignaは、次の様にコメントしています。「STの新しい6軸センサ・モジュールは、市場最小の消費電力と最高のノイズ密度で動作するよう設計されており、IoT機器の効率と利便性を飛躍的に高めます。STは、業界屈指のポートフォリオをさらに強化するLSM6DS3と、サプライ・チェーン全体の管理能力、さらにはシステム・レベルでの効率を全製品で向上させる専門性とリーダーシップを通じて、今後もモーション・センサのレベルを引き上げていきます。」

LSM6DS3は、デジタル出力の3軸加速度センサと3軸ジャイロ・センサを統合したシステム・イン・パッケージ(SiP)として提供され、常時動作モードで0.6mAまで消費電力を抑える高効率モードを搭載しています。低消費電力の常時動作機能と優れたセンシング精度を兼ね備えた同製品は、ノイズを極めて低く抑えながらクラス最高のモーション検知と分析を実現します。

LSM6DS3のイベント検出割り込みは、効率的で信頼性の高いモーション検知とハードウェアに実装されたコンテキスト認識を可能にします。これにより、自由落下検知、6軸方向検知、タップおよびダブルタップの検知、活動中や停止中の認識、ウェークアップ・イベントの検知が可能になります。同製品には主要なオペレーティング・システムの要件に対応してきたSTの経験が活かされており、実センサ、仮想センサ、バッチ・モードのセンサを効率的に処理することで、消費電力の低減とシステム応答時間の短縮を実現します。また、ハードウェアに特定モーション検知・傾き検知・歩数計機能・タイムスタンプを実装し、外付け地磁気センサのデータを取得しハード・アイロンとソフト・アイロンの両方を補正できるように設計されています。

LSM6DS3は、様々な接続モードで外部センサと接続できるハードウェアの柔軟性を備えているため、センサ・ハブや補助SPI(シリアル・ペリフェラル・インタフェース)等の不可欠な機能を実現することができます。

LSM6DS3は、2014年第4四半期に利用可能になる予定です。

(1) 出典:IHS Consumer and Mobile MEMS Market Tracker H1 2013
(2) 加速度センサ:104Hzの出力データ・レート(ODR)を使用した高性能モードの標準値=90 μg/√Hz、104HzのODRを使用した高性能モードの標準値=0.6 mg-rms、ジャイロ・センサ:10Hzの高性能モードの標準値=0.007 °/s/√Hz、208HzのODRを使用した高性能モード=0.07 °/s-rms

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト( http://www.st-japan.co.jp )をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
アナログ・MEMS・パワー製品グループ
TEL: 03-5783-8250 FAX: 03-5783-8216

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